Galliumnitrid- Hochfrequenzelektronik, Teilvorhaben: Multiwafer GaN MOVPE für elektronische Bauelemente Verbundprojekt ; Schlußbericht zum Vorhaben

MOCVD, GaN, AIGaN, high-power electronics, HEMT, Planetary Reactor®

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Schineller, Bernd (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Heuken, Michael (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Aixtron AG 2003
Schlagworte:	Forschungsbericht
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Beschreibung
Zusammenfassung:	MOCVD, GaN, AIGaN, high-power electronics, HEMT, Planetary Reactor®
Beschreibung:	Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden Förderkennzeichen BMBF 01 BM 157 Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:	16 Bl Ill.,graph.Darst