Selbstorganisiertes Wachstum auf Si (SOWASI), Teilvorhaben: Selbstorganisation und Selbstordnung gitterfehlangepasster Halbleiterstrukturen auf Si : Abschlußbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.05.2000 - 31.04.2003

Selbstorganisiertes Wachstum auf Si (SOWASI), Teilvorhaben: Selbstorganisation und Selbstordnung gitterfehlangepasster Halbleiterstrukturen auf Si Abschlußbericht ; Laufzeit des Vorhabens: 01.05.2000 - 31.04.2003

GiGe, Ge, island, quantum dot, self assembly, self ordering, Stranski-Krastanov, MIR detector, MBE

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Abstreiter, Gerhard (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Brunner, Karl (VerfasserIn), Bougeard, Dominique (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Garching Walter Schottky Institut, TU München 2003
Schlagworte:
Forschungsbericht
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:GiGe, Ge, island, quantum dot, self assembly, self ordering, Stranski-Krastanov, MIR detector, MBE
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 13 N 7870. - Engl. Zsfass. u.d.T.: Self-assembly and self-ordering of strained semiconductor structures on Si
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:23 Bl
graph. Darst