Strukturelle Eigenschaften von Si-dotieren VGF-GaAs Teilbericht
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Züchtung versetzungsarmer GaAS-Substratkristalle von 3" und 4" Durchmessern mit dem vertikalen Bridgman/Gradient Freeze Verfahren |
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| Pages: | 3 |
| Format: | UnknownFormat |
| Veröffentlicht: |
ca. 2001
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| Strukturelle Eigenschaften von Si-dotieren VGF-GaAs : Teilbericht | 2001 | Kremmer, K. |