Strukturelle Eigenschaften von Si-dotieren VGF-GaAs Teilbericht

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Züchtung versetzungsarmer GaAS-Substratkristalle von 3" und 4" Durchmessern mit dem vertikalen Bridgman/Gradient Freeze Verfahren
1. Verfasser:	Kremmer, K. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Klemm, V. (VerfasserIn)
Pages:	3
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	ca. 2001
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