Fault-tolerance and reliability techniques for high-density random-access memories

Literaturverz. S. 377 - 417

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Chakraborty, Kanad (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Mazumder, Pinaki (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Upper Saddle River, NJ Prentice Hall PTR 2002
Schriftenreihe:	Prentice Hall modern semiconductor design series
Schlagworte:	Random access memory > Reliability > Integrated circuits > Fault tolerance > Semiconeductor storage devices > Semiconductor storage devices > RAM > Reliabilität > Fehlertoleranz
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