Hochleistungsdiodenlaser bei 808nm und 940nm auf Basis verspannter Schichtstrukturen im InGa(Al)As/GaAs-Materialsystem Projektverband: Innovative Lasersysteme auf der Basis von Hochleistungsdiodenlaser (NOVALAS), Teilverband: Grundlegende Untersuchungen zur Technologie von Hochleistungsdiodenlasern ; Teilvorhaben ; Abschlußbericht ; Laufzeit: 01.01.1998 - 31.12.2000 ; BMBF-Forschungsvorhaben

Semiconductor laser, high power diodes, laserstructures within (AlGaln)As-,(Galn)(AsP)-and (AlGaln)(AsP)-materialsystem, degradations behaviour, photocurrent spectroscopie, tunnel junction, VCSEL, monolithical-stacks, LOC-waveguides

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	OSRAM Opto Semiconductors GmbH (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Luft, Johann (BerichterstatterIn), Albrecht, Tony (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Regensburg 2001
Schlagworte:	Forschungsbericht > Laserdiode
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Semiconductor laser, high power diodes, laserstructures within (AlGaln)As-,(Galn)(AsP)-and (AlGaln)(AsP)-materialsystem, degradations behaviour, photocurrent spectroscopie, tunnel junction, VCSEL, monolithical-stacks, LOC-waveguides
Beschreibung:	Förderkennzeichen BMBF 13 N 7227/4. - Engl. Zsfass. u.d.T.: High power laser diodes at 808nm and 940nm on the basis of the strained layer system (AlGaln)As/GaAs Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden Die Vorlage enthält insgesamt 3 Werke Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:	71, 30, 10 Bl Ill., graph. Darst