AlGaN/GaN HEMTs für HF-Leistungsanwendungen

Zugl.: Würzburg, Univ., Diss., 2001

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Dietrich, Markus Ron (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 2002
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:	Hochschulschrift > Aluminiumnitrid > Galliumnitrid > HEMT > Heterostruktur-Bauelement > Leistungsverstärker > Hochfrequenzverstärker
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