Thin layers of low temperature grown GaAs in p-i-n diodes : a versatile tool for material characterization

Thin layers of low temperature grown GaAs in p-i-n diodes a versatile tool for material characterization

Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2000

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Tautz, Sönke (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Erlangen Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ. 2001
Schriftenreihe:Physik mikrostrukturierter Halbleiter 21
Schlagworte:
Gallium arsenide > Silicon diodes > Hochschulschrift > Galliumarsenid > Molekularstrahlepitaxie > Tieftemperatur > Elektroabsorption > Optische Eigenschaft > Elektronische Eigenschaft
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