Thin layers of low temperature grown GaAs in p-i-n diodes a versatile tool for material characterization

Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2000

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Tautz, Sönke (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Erlangen Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ. 2001
Schriftenreihe:	Physik mikrostrukturierter Halbleiter 21
Schlagworte:	Gallium arsenide > Silicon diodes > Hochschulschrift > Galliumarsenid > Molekularstrahlepitaxie > Tieftemperatur > Elektroabsorption > Optische Eigenschaft > Elektronische Eigenschaft
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2000
Beschreibung:	II, 152 S graph. Darst 21 cm
ISBN:	3932392302 3-932392-30-2