Hybrid- und monolithisch-integrierte THz-Elektronik mit Pt/n-GaAs-Schottkydioden

Zugl.: Darmstadt, Univ., Diss, 2000

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Lin, Chih-I (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 2001
Schriftenreihe:	Berichte aus der Hochfrequenztechnik
Schlagworte:	Hochschulschrift > Schottky-Diode > Galliumarsenid-Bauelement > Varaktor > Frequenzvervielfachung > FIR > n-Halbleiter > Platin > Passivierung > PECVD-Verfahren > Terahertzbereich > Überlagerungsempfänger > Frequenzumsetzung > Hybridschaltung
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