Entwicklung einer Bondanlage für das Bonden von plasmaaktivierten Siliziumwafern : Abschlußbericht der KSD zum Förderprojekt ; Vorhabensbezeichnung: Niedertemperaturbonden (NTB) ; Laufzeit: 1.11.1999 - 31.10.2001 ; Berichtszeitraum: 1.11.1999 - 01.04.2000

Entwicklung einer Bondanlage für das Bonden von plasmaaktivierten Siliziumwafern Abschlußbericht der KSD zum Förderprojekt ; Vorhabensbezeichnung: Niedertemperaturbonden (NTB) ; Laufzeit: 1.11.1999 - 31.10.2001 ; Berichtszeitraum: 1.11.1999 - 01.04.2000

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Harz, Michael (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Dresden Karl Suss GmbH 2000
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16SV1051/8. - Verbund-Nr. 01017646. - Engl. Zsfass. u.d.T.: Development of a bond equipment for plasma activated silicon fusion bonding
Beschreibung:11 Bl
Ill., graph. Darst