Entwicklung von energiesparenden MOS-Schaltelementen auf SiC-Basis Abschlußbericht ; Förderschwerpunkt SiC-Elektronik ; Laufzeit des Vorhabens: 01.01.1997 - 31.12.1999
Silicon carbide, SiC, MOSFET, prototype, normally closed, implantation, converter, power electronics, switching technique, polytype
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| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Erlangen
Siemens AG, Zentral Technik, ZT EN 6 u.a.
ca. 2000
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Tag hinzufügen | Zusammenfassung: | Silicon carbide, SiC, MOSFET, prototype, normally closed, implantation, converter, power electronics, switching technique, polytype |
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| Beschreibung: | Förderkennzeichen BMBF 01 BM 701/5. - Engl. Zsfass. u.d.T.: Development of energy saving MOS switching devices Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden Die Vorlage enth. insgesamt 3 Abschlußberichte Teilweise auch als elektronische Ressource vorh |
| Beschreibung: | Getr. Zählung, [118] Bl Ill., graph. Darst |