Einzelelektronen-Feldeffekt-Transistoren in Silizium und Silizium-Germanium Abschlußbericht zum Teilprojekt ; innerhalb des BMBF-Förderprogramms "Silizum-Nanoelektronik", Teilbereich 3 "Quantenstrukturen", Projektbereich A: "Nanometer-Feldeffektstrukturen", Projektzeitraum: 01.04.1996 - 30.09.1999

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	RWTH Aachen Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik 2 (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Kurz, Heinrich (BerichterstatterIn), Köster, T. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Inst. für Halbleitertechnik - Lehrstuhl II, RWTH 1999
Schlagworte:	Forschungsbericht
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