Einzelelektronen-Feldeffekt-Transistoren in Silizium und Silizium-Germanium : Abschlußbericht zum Teilprojekt ; innerhalb des BMBF-Förderprogramms "Silizum-Nanoelektronik", Teilbereich 3 "Quantenstrukturen", Projektbereich A: "Nanometer-Feldeffektstrukturen", Projektzeitraum: 01.04.1996 - 30.09.1999

Einzelelektronen-Feldeffekt-Transistoren in Silizium und Silizium-Germanium Abschlußbericht zum Teilprojekt ; innerhalb des BMBF-Förderprogramms "Silizum-Nanoelektronik", Teilbereich 3 "Quantenstrukturen", Projektbereich A: "Nanometer-Feldeffektstrukturen", Projektzeitraum: 01.04.1996 - 30.09.1999

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: RWTH Aachen Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik 2 (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Kurz, Heinrich (BerichterstatterIn), Köster, T. (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Aachen Inst. für Halbleitertechnik - Lehrstuhl II, RWTH 1999
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01M2412B2. - Engl. Zsfass. u.d.T.: Single-electron fieldeffect-transistors in silicon and silicon-germanium
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:22 Bl
Ill., graph. Darst