The effect of AIN buffer layer on the quality of GaN films, MOCVD grown on (111)-oriented Si substrates

Bibliographische Detailangaben

Weitere Verfasser:	Zamir, S. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Haifa Technion, Israel Institute of Technology 2000
Schriftenreihe:	CCIT report 302 EE PUB 1235
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