Einzel-Elektronen-Transistoren in Si/SiGe Heterostrukturen Abschlußbericht ; BMBF-Schwerpunkt: Silizium-Nanoelektronik ; Laufzeit des Vorhabens: 01.04.1996 - 31.03.1999
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| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
München
ca. 1999
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Contract BMBF 01M 2413 B3. - Titel auf Berichtsbl.: Nanometer-Feldeffektstrukturen Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Dokumentversion können nicht ausgeschlossen werden Auch als elektronisches Dokument vorh |
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| Beschreibung: | 13 Bl graph. Darst |