Elektronische und strukturelle Eigenschaften der Ober- und Grenzflächen von Halbleitern mit großer Bandlücke SiC, Diamant, GaN ; Förderzeitraum: 01.04.1995 - 30.06.1998
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Erlangen-Nürnberg
Univ.
ca. 1998
|
| Schlagworte: | |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Tag hinzufügen | Beschreibung: | Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Dokumentversion können nicht ausgeschlossen werden Förderkennzeichen BMBF 05 622 WEA 7 Auch als elektronisches Dokument vorh |
|---|---|
| Beschreibung: | 2, 10 Bl graph. Darst |