Etch rates for (100) gallium arsenide using aqueous H 2 SO 4:H 2 O 2 and aqua regia based etchants

Etch rates for (100) gallium arsenide using aqueous H 2 SO 4:H 2 O 2 and aqua regia based etchants

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaften: Lucas Heights Research Laboratories (BerichterstatterIn), Australian Nuclear Science and Technology Organisation (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Keane, M. (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Veröffentlicht: Lucas Heights, New South Wales 1991
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