Untersuchung von Rekombinationsprozessen und "tiefen" Störstellen im Silizium

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Hangleiter, Andreas (VerfasserIn)
Körperschaft:	Deutschland Bundesminister für Forschung und Technologie (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Conzelmann, Heinrich (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	Eggenstein-Leopoldshafen Fachinformationszentrum Energie, Physik, Mathematik Karlsruhe 1985
Schriftenreihe:	Technologische Forschung und Entwicklung, Elektronik
Schlagworte:
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