Verbundvorhaben: Mikrosystem-Modultechniken für erhöhte Verlustleistungen (MST-feV), Teilprojekt: Entwicklung einer AIN-Modultechnologie für zukünftige Leistungshalbleitermodule Abschlußbericht ; Berichtszeitraum: 01.01.1995 - 31.12.1997

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	Siemens Aktiengesellschaft Zentrale Forschung und Entwicklung (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Lefranc, Guy (BerichterstatterIn), Huber, Margit (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	München 1998
Schlagworte:	Forschungsbericht > IGBT > Leiterrahmen > Aluminiumnitrid
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