Verbundvorhaben: Mikrosystem-Modultechniken für erhöhte Verlustleistungen (MST-feV), Teilprojekt: Entwicklung einer AIN-Modultechnologie für zukünftige Leistungshalbleitermodule : Abschlußbericht ; Berichtszeitraum: 01.01.1995 - 31.12.1997

Verbundvorhaben: Mikrosystem-Modultechniken für erhöhte Verlustleistungen (MST-feV), Teilprojekt: Entwicklung einer AIN-Modultechnologie für zukünftige Leistungshalbleitermodule Abschlußbericht ; Berichtszeitraum: 01.01.1995 - 31.12.1997

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Siemens Aktiengesellschaft Zentrale Forschung und Entwicklung (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Lefranc, Guy (BerichterstatterIn), Huber, Margit (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: München 1998
Schlagworte:
Forschungsbericht > IGBT > Leiterrahmen > Aluminiumnitrid
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 16 SV 170. - Verbund-Nr. 52400069
Beschreibung:62 S
Ill., graph. Darst