Charakterisierung von MOVPE-II-VI-Halbleiter-Schichten mittels Röntgendiffraktometrie

Charakterisierung von MOVPE-II-VI-Halbleiter-Schichten mittels Röntgendiffraktometrie

Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1999

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Xu, Jun (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Aachen Mainz 1999
Ausgabe:1. Aufl
Schlagworte:
Hochschulschrift > Zinkselenid > Zinksulfid > Magnesiumsulfid > Magnesiumselenid > Mischkristall > Epitaxieschicht > Halbleiterschicht > Röntgendiffraktometrie
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