SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Yuan, Jiann S. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	New York, Weinheim u.a. Wiley 1999
Schriftenreihe:	Wiley series in microwave and optical engineering A Wiley interscience publication
Schlagworte:	Bipolar transistors > Junction transistors > Bipolartransistor > Sperrschicht-FET
Online Zugang:	Volltext Autorenbiografie Verlagsangaben Cover
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