SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors

SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Yuan, Jiann S. (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: New York, Weinheim u.a. Wiley 1999
Schriftenreihe:Wiley series in microwave and optical engineering
A Wiley interscience publication
Schlagworte:
Bipolar transistors > Junction transistors > Bipolartransistor > Sperrschicht-FET
Online Zugang:Volltext
Autorenbiografie
Verlagsangaben
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Beschreibung
Beschreibung:Includes bibliographical references
Beschreibung:XVII, 463 S
Ill., zahlr. graph. Darst
ISBN:0471197467
0-471-19746-7