Industrielles Verbundprojekt: Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen für Hochleistungslaserdioden Teilvorhaben: Epitaxie, Chiptechnologie und Aufbau von Hochleistungslaserdioden im Wellenlängenbereich von 630 nm bis 1550 nm ; Abschlußbericht ; Laufzeit: 01.01.1994-31.12.1996 ; BMBF-Forschungsvorhaben

Bibliographische Detailangaben

Körperschaft:	Siemens Aktiengesellschaft (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Luft, J. (BerichterstatterIn), Bogner (BerichterstatterIn), Grötsch, S. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Berlin u.a. 1997
Schlagworte:	Forschungsbericht
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