Industrielles Verbundprojekt: Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen für Hochleistungslaserdioden Teilvorhaben: Epitaxie, Chiptechnologie und Aufbau von Hochleistungslaserdioden im Wellenlängenbereich von 630 nm bis 1550 nm ; Abschlußbericht ; Laufzeit: 01.01.1994-31.12.1996 ; BMBF-Forschungsvorhaben
Gespeichert in:
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| Weitere Verfasser: | , , |
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Berlin u.a.
1997
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Förderkennzeichen BMFT/BMBF 13 N 6383/0. - Verbund-Nr.62400003 Die Vorlage enth. insgesamt 4 Werke |
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| Beschreibung: | [ca.170] Bl. in getr. Zählung graph. Darst |