EEPROM-Struktur in CMOS-Technologie mit einer Polysiliziumebene neue Lösch-Verfahren

Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 1997

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Schröder, Hans-Ulrich (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 1998
Ausgabe:	Als Ms. gedr
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:	Hochschulschrift > EEPROM > Silicium > Polykristall > CMOS > Floating-Gate-Struktur > Kundenspezifische Schaltung
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