Industrielles Verbundprojekt: Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen für Hochleistungsdiodenlaser Teilvorhaben: 2" und 3" GaAs-Waferpräparation und Charakterisierung für Hochleistungsdiodenlaser ; Forschungsbericht/Abschlußbericht, Berichtszeitraum: 01.01.1994 - 30.04.1997

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	Freiberger Compound Materials GmbH (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Bünger, T. (BerichterstatterIn), Weinert, B. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Freiberg/Sa. 1997
Schlagworte:	Forschungsbericht
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