Industrielles Verbundprojekt: Analyse und Aufbau von Material- und Schichtsystemen für Hochleistungsdiodenlaser Teilvorhaben: 2" und 3" GaAs-Waferpräparation und Charakterisierung für Hochleistungsdiodenlaser ; Forschungsbericht/Abschlußbericht, Berichtszeitraum: 01.01.1994 - 30.04.1997
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| Körperschaft: | |
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| Weitere Verfasser: | , |
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Freiberg/Sa.
1997
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| Beschreibung: | 46 Bl Ill., graph. Darst |