Entwicklung von GaInP-GaAs-Multi-Emitterfinger-Heterostruktur-Bipolartransistoren mit hohem Wirkungsgrad für den Einsatz in X-Band-Leistungsverstärkern
Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1997
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| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Aachen
Mainz
1997
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| Ausgabe: | 1. Aufl. |
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Tag hinzufügen | Zusammenfassung: | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1997 |
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| Beschreibung: | VI, 110 S Ill., graph. Darst |
| ISBN: | 3896531514 3-89653-151-4 |