Sub-0.2[My]m double-sided modulation-doped InAlAs/InGaAs heterojunction field effect transistor with InAs layer in the channel

München, Techn. Univ., Diss., 1997

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Xu, Dong (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1996
Schlagworte:	Hochschulschrift > HEMT > Indiumarsenid > Aluminiumarsenid > Galliumarsenid > Indiumphosphid
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	München, Techn. Univ., Diss., 1997
Beschreibung:	IV, 143 Seiten Illustrationen, Diagramme