Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0,1 [my]m gate length for future VLSI applications

Zugl.: Osaka, Univ., Diss., 1995

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Joachim, Hans-Oliver (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 1996
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:	Hochschulschrift > MOS-FET > SOI-Technik > VLSI > CMOS
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