Ruolo dell'ossigeno interstiziale nel silicio CZ nella formazione di stacking faults

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Bellutti, P. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Boscardin, M. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Trento Istituto per la Ricerca Scientifica e Tecnologica 1994
Schriftenreihe:	IRST technical report 9410-18
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