High resolution electron microscopy of dissociated dislocations in silicon with normal-incident electron-beam

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Suzuki, Kunio (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Maeda, Narihiko (VerfasserIn), Takeuchi, Shin (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Tokyo Inst. for Solid State Physics 1995
Schriftenreihe:	Technical report of ISSP Ser. A 2992
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