(Invited) Preparation of N-Type and P-Type Doped Single Crystal Diamonds with Laser-Induced Doping and Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Symposium "Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices" (25. : 2024 : San Francisco, Calif.) Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 25
1. Verfasser:	Guo, L. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Tian, L. (VerfasserIn), Wang, H. (VerfasserIn), Meng, L. (VerfasserIn), Feng, C. (VerfasserIn)
Pages:	25
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2024
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Titel	Jahr	Verfasser
(Invited) Preparation of N-Type and P-Type Doped Single Crystal Diamonds with Laser-Induced Doping and Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition	2024	Guo, L.
Gallium Nitride Electrodeposition at Indium Tin Oxide and Fluorine Tin Oxide Electrodes in Ammonium Nitrate and Gallium Nitrate Aqueous Solution	2024	Aranzabal, M. A. Leyva
E-Mode AlGaN/GaN HEMTs Using p-NiO Gates	2024	Chiang, C. C.
Operation up to 225°C of NiO/ β-(Al0.21Ga0.79)2O3 /Ga2O3 Heterojunction Lateral Rectifiers	2024	Wan, H. H.
Nanocrystalline Diamond Lateral Overgrowth for High Thermal Conductivity Contact to Unseeded Diamond Surface	2024	Francis, D.