Operation up to 225°C of NiO/ β-(Al0.21Ga0.79)2O3 /Ga2O3 Heterojunction Lateral Rectifiers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices" (25. : 2024 : San Francisco, Calif.) Wide-Bandgap Semiconductor Materials and Devices 25
1. Verfasser:	Wan, H. H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Li, J. S. (VerfasserIn), Chiang, C. C. (VerfasserIn), Xia, X. (VerfasserIn), Ren, F. (VerfasserIn), Masten, H. (VerfasserIn), Lundh, J. S. (VerfasserIn), Spencer, J. (VerfasserIn), Alema, F. (VerfasserIn), Osinsky, A. (VerfasserIn), Jacobs, A. G. (VerfasserIn), Hobart, K. D. (VerfasserIn), Tadjer, M. (VerfasserIn), Pearton, S. J. (VerfasserIn)
Pages:	25
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2024
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