A New Integration Scheme to Prevent Chemical Attack on Floating Polysilicon Gate of Non-Volatile Memory

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Silicon Compatible Emerging Materials, Processes, and Technologies for Advanced CMOS and Post-CMOS Applications" (14. : 2024 : San Francisco, Calif.) Silicon Compatible Emerging Materials, Processes, and Technologies for Advanced CMOS and Post-CMOS Applications 14
1. Verfasser:	Yang, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kong, K. F. (VerfasserIn), Teh, Y. W. (VerfasserIn), Zhou, G. (VerfasserIn), Yu, N. (VerfasserIn), Yu, K. (VerfasserIn)
Pages:	14
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2024
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