Microstructure Analysis of GaN Epitaxial Layers During Ion Implantation Using Synchrotron X-Ray Topography

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies" (Veranstaltung : 11. : 2021 : Online) Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 11
1. Verfasser:	Liu, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Peng, H. (VerfasserIn), Chen, Z. (VerfasserIn), Ailihumaer, T. (VerfasserIn), Cheng, Q. (VerfasserIn), Hu, S. (VerfasserIn), Raghothamachar, B. (VerfasserIn), Dudley, M. (VerfasserIn)
Pages:	11
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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