Effect of variation in RF sputtering power on the electrical characteristics of Al/Gd2O3/p-Si MOS capacitors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	DAE Solid State Physics Symposium (64. : 2019 : Jodhpur) DAE Solid State Physics Symposium 2019 ; B
1. Verfasser:	Thilipan, G. Arun Kumar (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Rao, Ashwath (VerfasserIn)
Pages:	2019
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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