(Invited) Fabrication Technique of Ferroelectric HfxZr1-xO2 Thin Films Using ALD- ZrO2 Nucleation Layers

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Semiconductor Process Integration" (13. : 2023 : Göteborg) Semiconductor Process Integration 13
1. Verfasser:	Onaya, T. (VerfasserIn)
Pages:	13
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2023
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