Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin Body (100) Silicon- Germanium-on-Insulator p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Semiconductor Process Integration" (13. : 2023 : Göteborg) Semiconductor Process Integration 13
1. Verfasser:	Maeda, Y. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yokogawa, R. (VerfasserIn), Sugawa, S. (VerfasserIn), Chen, C. T. (VerfasserIn), Toprasertpong, K. (VerfasserIn), Takenaka, M. (VerfasserIn), Takagi, S. (VerfasserIn), Ogura, A. (VerfasserIn)
Pages:	13
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2023
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