COMSOL simulation of a new generation of SiGe heterojunction bipolar transistor (HBT) integrated in a BICMOS 55nm technology

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	International Conference in Physical Science and Advanced Materials (2. : 2020 : Dubai) 2nd International Conference in Physical Science & Advanced Materials, PAM2020
1. Verfasser:	Lachkhab, Chems EI Ghizlane (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Lakhdara, Maya (VerfasserIn), Boulgheb, Abdelaziz (VerfasserIn), Latreche, Saida (VerfasserIn)
Pages:	2
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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