HIGHLY SELECTIVE DRY ETCHING PROCESS FOR THE REMOVAL OF SIGE LAYERS FOR THE ENABLEMENT OF STACKED NANOSHEET GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR ARCHITECTURES

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Surface Preparation and Cleaning Conference (2022 : Chandler, Ariz.) 2022 Surface Preparation and Cleaning Conference
1. Verfasser:	Otto, I. (VerfasserIn)
Pages:	2022
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2023
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