Computing Threshold Voltage Shift in Submicron MOSFET in Presence of Body Effect and Induced Lateral Field

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	NCCS-2019 (5. : 2019 : Ranchi) Nanoelectronics, circuits and communication systems
1. Verfasser:	Khanam, Farnaz (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Nath, Anwita (VerfasserIn), Deyasi, Arpan (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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