Minimization of Drain-End Leakage of a U-Shaped Gated Tunnel FET for Low Standby Power (LSTP) Application

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	NCCS-2019 (5. : 2019 : Ranchi) Nanoelectronics, circuits and communication systems
1. Verfasser:	Das, Suman (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Chattopadhyay, Avik (VerfasserIn), Tewari, Suchismita (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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