(Invited) GaN Homoepitaxial Growth and Substrate-Dependent Effects for Vertical Power Devices

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Joint Symposium: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) and GaN and SiC Power Technologies (2020 : Online) Joint Symposium: State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 63 (SOTAPOCS 63) and GaN and SiC Power Technologies 10
1. Verfasser:	Hite, J. K. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Mastro, M. A. (VerfasserIn), Anderson, T. J. (VerfasserIn), Gallagher, J. C. (VerfasserIn), Ebrish, M. (VerfasserIn), Jr., J. A. Freitas (VerfasserIn)
Pages:	63
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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