Ultra-Thin Gate Dielectric Film Formation Technology by using Microwave-Exceitation High-Density Plasma

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chō-LSI-Urutora-Kurīn-Tekunorojī-Shinpojiumu (33 : 1999 : Tokio) Cho-LSI-Urutora-Kurin-Tekunoroji-Shinpojiumu
1. Verfasser:	SEKINE, Katsuyuki (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	KAIHARA, Ryu (VerfasserIn), SAITO, Yuji (VerfasserIn), HIRAYAMA, Masaki (VerfasserIn), OHMI, Tadahiro (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1999
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