(Invited) Border-Trap Characterization for Ge Gate Stacks with Thin GeOx layer Using Deep-Level Transient Spectroscopy

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (2020 : Online) (9.) SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 9
1. Verfasser:	Nakashima, H. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Wen, W. C. (VerfasserIn), Yamamoto, K. (VerfasserIn), Wang, D. (VerfasserIn)
Pages:	9
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
Schlagworte:
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