Effects of Wet Ambient on Dry Oxidation Processes at 4H-SiC/SiO2 Interface: An Ab Initio Study

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (2020 : Online) Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics and Plasma Nanosciences
1. Verfasser:	Shimizu, T. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Akiyama, T. (VerfasserIn), Nakamura, K. (VerfasserIn), Ito, T. (VerfasserIn), Kageshima, H. (VerfasserIn), Uematsu, M. (VerfasserIn), Shiraishi, K. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2020
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