The range distribution of radioactive ions implanted into silicon crystals

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Dearnaley, G. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Wilkins, M. A. (VerfasserIn), Goode, P. D. (VerfasserIn), Freeman, J. H. (VerfasserIn), Gard, G. A. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Harwell, Berkshire Nuclear Physics and Chemistry Divisions, Atomic Energy Research Establishment 1969
Schriftenreihe:	AERE-R 6197 United Kingdom Atomic Energy Authority Research Group report
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